擴散電容 cd 物理定義
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www2.nsysu.edu.tw隨著電子資訊產品朝輕薄短小化的方向發展，半導體製造方法亦朝著高密度及自動化生產的 ... 其中材料加工製造，是指從矽晶石原料提煉矽多晶體(polycrystalline silicon)直到晶圓(wafer)產出，此為半導體之上游工業。此類矽晶片再經過研磨加工及 ...
光源的介紹 | 翔麟資電有限公司
www.shinning-tech.com在整個電磁頻譜圖中，我們通常將此段頻譜泛稱〝可見光〞，波長大約從400nm到700nm。 視覺系統中，所使用的CCD 攝影機，亦或所謂光藕合元件，主要構成元件是半導體(Silicon)裝置，其最高反應靈敏度可達950nm。
2-6 PN 结的交流小信号特性与扩散电容_图文_百度文库
wenku.baidu.com2011年12月6日 ... 2-6 PN 结的交流小信号特性与扩散电容_信息与通信_工程科技_专业资料 ... 交流导 纳与扩散电容2-6-3二极管的交流小信号等效电路 求扩散电容CD 的 .... 垒电容的 物理意义、势垒电容的定义和突变结与线性缓变结势垒电容的计算。
6PN结电容_图文_百度文库
wenku.baidu.com2012年10月26日 ... 这种电容效应称为扩散电容，以CD表示。 ... 势垒电容的定义为： C T ? ... 突变结情况 第2页2010年12月16日星期四北工大电控学院 半导体物理学pn ...
反偏PN结电容_图文_百度文库
wenku.baidu.com2011年6月14日 ... 反偏PN结电容- 反偏PN结的C-V关系——泊松方程 PN 结的势垒电容PN 结电容势 垒电容CT 扩散电容CD 本节主要内容：势垒电容形成的机理； 导出突变结、线性缓变 结... ... 2.5.1 势垒电容的定义当外加电压有( - ΔV ) 的变化时，势垒区宽度发生变化， 使势垒区中的空间电荷也发生相应的ΔQ 的 .... 半导体物理pn结电容.
半导体器件物理与工艺_第4章_图文_百度文库
wenku.baidu.com2016年3月15日 ... 半导体器件物理与工艺_第4章- 第4章PN结4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 ... 对结电容会 产生显著的附加电容，称为扩散电容，Cd。 由定义Cd=AdQp/dV ...
半导体物理pn结电容_图文_百度文库
wenku.baidu.com2013年12月8日 ... 半导体物理pn结电容- 半导体低维物理PN节电容 6.3.1 Pn 节电容的种类1. ... 扩散 电容正向偏压时，空穴(电子)注入n(p)区， 在势垒边界处，积累非平衡少数载流子。 .... V ? 由微分电容定义得单位面积势垒电容为' CT ? ... CD ? ? Aq ? ? exp ? k0T ? ? ? k0T ? 因为这里用的浓度分布是稳态公式，所以上两式只近似应用 ...
半导体器件物理6章p-n结的电流-电压方程_百度文库
wenku.baidu.com2010年9月23日 ... 半导体器件物理6章p-n结的电流-电压方程- 第6章理想P-N 结的电流－电压方程在这 之前，我们 ... 之后，又讨论了在反向偏压情况下的空间电荷区的宽度变化及结电容 变化。 ..... 14 我们定义： qD p pn 0 qDn n p 0 Js = + . ..... dVa ≈ 1 V qpn 0 LP = exp a Vt Vt ( 6.54 ) τ p0 Vt J p0 总单位面积扩散电容Cd = Cdn + Cdp ...
现代半导体器件第六讲_图文_百度文库
wenku.baidu.com2010年4月21日 ... 1 2 2.5 PN结的电容(4)该公式的物理意义： (a)适用于正、负偏压。 ... PN结的扩散 电容计算： (1) 扩散电容CD 的定义： (2) PN结在加偏压下的扩散区 ...
第七章PN结的小信号导纳_图文_百度文库
wenku.baidu.com2011年4月9日 ... 半导体器件物理 ... 正弦电压a，流过二极管的电流定义小信号导纳：Y=i/va 表征 二极管的交流响应定义小信号导纳： 也可用 ... 压的变化所产生的电容效应。 pn结 二极管的小信号等效电路结二极管的小信号等效电路 小信号导纳 ... 扩散电容CD ： 二极管正偏时在耗尽区边界的准扩散电容中性区内引起少数载流子的积累。